Наименование прибора: 2SK2699 Toshiba
Маркировка: K2699
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 820 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
Аналоги STW10NK60Z, BUZ332, BUZ332A, IRFPC48, IRFPC50, SPP07N60C3, STH12N60, STW12N60, STW12NB60, STW13NK60Z