Технология вертикальных межсоединений (TSV) предлагает разработчикам продуктов новую и высокую пространственно-эффективную степень свободы, позволяя интегрировать компоненты схемы из различных узлов, помимо тех, которые можно получить от проводных соединений и перевёрнутых кристаллов 3D схем, тем самым повышая функциональность и производительность.

Чтобы максимизировать соотношение «функциональность-объем», производители устройств интегрируют чипы с использованием схем. Технология TSV позволяет изготавливать трехмерные межсоединения, создавая вертикальные каналы, функционирующие как компоненты интегральной схемы для подключения многоуровневых чипов или пластин.

Установка Applied Centura SilviaEtch специально разработана для сложного глубокого травления кремния, необходимого для создания вертикальных соединений между чипами или пластинами. Это единственная система травления TSV,которая позволяет преодолеть компромисс обычных методов между контролем профиля и высокой скоростью травления. Источник плазмы высокой плотности установки обеспечивает самые высокие скорости травления кремния и оксида для корпусирования всех уровней пластины.

В устанвоке Silvia использован многолетний опыт компании Applied - новатора и лидера на рынке глубокого травления кремния и опыта производства вертикальных межсоединений (TSV) для оптимизации производительности травления, необходимой для трехмерной трафаретной печати. С процессами травления, составляющими приблизительно 15% производственной последовательности технологии вертикальных межсоединений (TSV), существенное снижение эксплуатационных расходов, полученное за счёт производительности Silvia и преимущества производства без использования расходных материалов, вносит существенный вклад в снижение общих затрат на внедрение технологии TSV.