Описание:

Автоматическая установка совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Обработка пластин до 200 мм. Производительность до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках

 

Основные возможности:

• Прямое совмещение: точность 0.5 микрон (3сигма) с улучшенным программным обеспечением распознавания образов
• Компактные габаритные размеры 2.12м2
• Автоматическая работа с 2 кассетами (опционально 4 кассеты)
• SECSII/GEM функциональные возможности
• Максимальная пропускная способность более 100 подложек в час
• Разрешающая способность: менее 3 микрон (на зазоре), 1 микрон (при контакте), субмикронное (при вакуумном контакте)

 

MA200 GEN3 - литография всей поверхности пластины от исследовательских задач до крупносерийного производства.

Элементы становятся все меньше и перед отраслью интеграции кристаллов встают новые непростые задачи. Требования к равномерности структур и точности наложения постоянно растут. Сокращенные рабочие циклы требуют гибкости процессов, например в области производства мобильных телефонов.
 
В то же время, для таких разработок необходимо гибкое оборудование, которое сможет поддерживать такую быстро меняющуюся среду, а также серьезная стабильность производственных процессов для соблюдения жестких допусков.

Благодаря многолетнему опыту на рынке полупроводниковых структур компания SUSS MicroTec понимает существующие нужды отрасли и прилагает все усилия, чтобы помочь своим клиентам решать стоящие перед ними задачи, предлагая первоклассное оборудование для фотолитографии. Особая оптика обеспечивает превосходную равномерность засветки, а режим дозиметрического контроля позволяет добиться высокой стабильности обработки. Это, а также проверенное качество механических элементов, делает установку совмещения и экспонирования MA200 Gen3 надежным устройством для процессов в массовом производстве.

Платформа установки совмещения создана с учетом ряда требований и позволяет оперативно менять оптику и быстро настраивать оборудование. Опыт нашей команды инженеров в области анализа потребностей клиентов и их трансформации в технические решения дополняет подход SUSS MicroTec к своей работе.

 

Основные моменты

Инновационные элементы установки MA200 Gen3 позволяют добиться высоких уровней совершенства эксплуатации и надежности, оптимизированной производительности и экономичности.

 

• Выдающаяся стабильность процессов
• Превосходная надежность
• Не имеющая равных производительность при работе с толстопленочными материалами
• Гибкость процессов для широкого ряда возможностей
• Более шестидесяти лет опыта в отрасли

 

Области применения

МЭМС

 

Корпусирование на уровне пластины

 

Сверхяркие СИДы

 

Совершенство процессов

Установка совмещения и экспонирования MA200 Gen3 подходит для использования с различными типами новых технологий и производства устройств в области 3D-интеграции, МЭМС, СИД, корпусирования на уровне пластин, составных полупроводников и фотоэлектрических устройств. На основе многих процессов, которые изначально не использовались при производстве полупроводников, возникли новые методы изготовления. Совершенный дизайн системы MA200 Gen3 объединяет многие из этих технологических тенденций на полностью автоматической платформе, которая обеспечивает отличный результат при оптимизированной стоимости на пластину.

Выдающаяся разрешающая способность	Размытие края изображения	Вертикальные стенки	Отличное качество структуры толстопленочного резиста
Пространственное и разрешение по строкам 2.5 и 3 мкм. Результат экспонирования с зазором 20 мкм с резистом DNR-L300-D1 на структурированном 2" GaN на сапфировой подложке	Структура кристалла RFID-приемоответчика, которая используется для меток идентификатора или электронных систем взимания платы. Негативный резист JSR THB 126N 30 мкм	3D WLP TSV шаблон для травления в AZ9260 (отверстия 5 мкм, толщина 10 мкм)	микродеталь МЭМС: толщина 250 мкм SU8

 

Высокоточное микромеханическое структурирование	Признанные технологические возможности	Возможность экспонирования вертикальных стенок	Опыт в области обработки МЭМС
Торсионный храповый пускатель с вибрационной внутренней рамой для запуска опорного зубчатого колеса	Корпусирование датчика изображений с КМОП-структурой с перераспределением слоя на задней стороне	корпуса ВЧУ в размер кристалла	Маркировка со считывающей /записывающей головкой

 

Совмещение. Точность в сочетании с автоматизацией.

Высокая надежность, быстрое и точное совмещение в литографических процессах является ключом к высокой производительности в производстве устройств. Благодаря разнообразным технологиям совмещения, отвечающим требованиям процессов и высокой степени автоматизации, установка MA200 Gen3 обеспечивает лучшую в классе точность совмещения для получения оптимальных результатов.

 

 

Совмещение с верхней стороны

Система совмещения с верхней стороны системы MA200 Gen3 позволяет добиться точности совмещения вплоть до 0.5 мкм (3 ð) во время расположения шаблона над пластиной (DirectAlign). 

Совмещение с нижней стороны

В дополнение к совмещению с верхней стороны для многих областей, таких как МЭМС, требуется точное совмещение с нижней стороны. Для этой цели систему MA200 Gen3 можно опционно оборудовать светлопольными микроскопами. Они имеют переключатель оптического увеличения и позволяют добиться точности совмещения 1 мкм (3 ð). В микроскопе для совмещения с нижней стороны с единым и расщепленным полем используются ПЗС-камеры высокого разрешения. Уникальная система хранения и обработки изображений в режиме реального времени точнее и быстрее, чем стандартное совмещение с перекрестием. 

ИК-совмещение

Совмещение в инфракрасном свете позволяет обрабатывать непрозрачные материалы, которые прозрачны для ИК-излучения, например GaAs, InP, кремний или адгезивы, которые используются при работе с тонкими пластинами или в процессах инкапсуляции. Система MA200 Gen3 может быть оснащена передающим или отражающим ИК-излучение комплектом инструментов, который монтируется на стандартный BSA-микроскоп. 

 

 

Автоматизация процесса с распознаванием структур

В основе установки совмещения и экспонирования MA200 Gen3 лежит алгоритм поиска PatMax, который является промышленным стандартом для распознавания структур. PatMax улучшает надежность совмещения в производственном процессе, заменяя серую шкалу, соответствующую распознаванию структуры. Это уменьшает влияние изменений в освещении и поврежденных меток и позволяет добиться масштабирования объекта и гибкости ориентации. Таким образом, PatMax сводит к минимуму расходы, вызванные ошибками совмещения и остановками системы.

Редактор совмещения Vision Pro предоставляет пользователям полный контроль над результатами обучения и качеством модели с помощью визуальной обратной связи. Грамотно составленное руководство позволит провести настройку надежных моделей меток.

 

Опции

DIRECTALIGN - субмикронная точность

В качестве дополнительной характеристики программа DirectAlign компании SUSS MicroTec ускоряет работу стандартного автоматического совмещения с помощью формирования прямого изображения рисунка даже при больших зазорах и без включения системы хранения изображений. Совмещение с верхней стороны с помощью DirectAlign позволяет добиться точности до 0.5 мкм (3 ð) для достижения наилучших результатов среди установок совмещения на рынке.

	х слева	x справа	y слева	y справа
Среднее	0.01	-0.04	0.03	0.02
Диапазон ±	0.13	0.13	0.25	0.25
3 сигма	0.17	0.23	0.30	0.31

 

Совмещение в светлом поле

Предназначенная для работы с темнопольными шаблонами, технология перемещения шаблона в чистом поле (LC MM) автоматически выводит шаблон из поля видимости, чтобы точно охранить положение метки пластины. Прямые изображения меток пластины совмещаются с сохраненными положениями, и необходимость в чистых полях в процессной области фотошаблона пропадает.

 

Настройка зазора

Установка совмещения и экспонирования MA200 Gen3 позволяет провести настройку активного зазора для дополнительной стабилизации расстояния от шаблона до пластины. Система автоматически исправляет отклонение в стандартном расстоянии между пластиной и фотошаблоном. Система мониторинга помогает оператору выявить неисправимые ошибки до начала экспонирования, таким образом защищая материал.

 

THERMALIGN - компенсация термического влияния

Компенсация термического расширения пластины и шаблона является важным фактором для улучшения точности совмещения экспонирующих систем полного поля. Система контроля температуры ThermAlign компенсирует потенциальные динамические сдвиги фотошаблона и пластины. Она контролирует температуру держателя пластины во время всего процесса и стабилизирует температуру шаблона. 

Эффект сбегания-разбегания с шаблонами из натронной извести при высоких дозах экспонирующего излучения.
(MA200 Gen3: 5000 мДж, зазор экспонирования 50 мкм) 

 

 

Экспонирующая оптика. Превосходное разрешение.

Будучи системой литографии всей поверхности пластины, MA200 Gen3 может провести экспонирование пластины диаметром 200 мм за один шаг, в то время как другие способы литографии, такие как пошаговая, как правило, требуют от 50 шагов на одну пластину. Более высокая пропускная способность и низкие первоначальные затраты означают низкие эксплуатационные расходы, что делает эту систему привлекательным решением для широкого ряда литографических процессов. 

 

 

Экспонирующая оптика с уменьшением  дифракции.

Данная оптика предназначена для компенсации эффектов дифракции в литографии с контактом и с зазором. Вместо использования плоской волны как в других системах литографии с зазором она обеспечивает угловой спектр плоских световых волн для уменьшения эффектов дифракции. Выбор правильного углового спектра улучшает разрешение структуры в резисте. 

HR и LGO

Оптика для литографии с большим зазором (LGO) предназначена для достижения высокого разрешения при экспонировании с большим расстояние от шаблона до пластины с определенной настройкой угла освещения. Как правило, такая оптика используется при работе с подложками с плотной топографией или толстопленочным резистом. Оптика линейки HR обеспечивают наилучший результат при экспонировании с маленьким зазором или контактном экспонировании. Оптика высокого разрешения позволяют добиться разрешения в 3 мкм при зазоре экспонирования 20 мкм и субмикронного разрешения при контактном экспонировании. В процессах, где требуется высокая доза экспонирования, с пластинами диаметром 150 мм оптика W150 HR сверхвысокой интенсивности позволяет добиться более высокой пропускной способности. 

Экспонирующая оптика MO

В основе этой оптики лежит уникальные микролинзы высокого качества в сочетании со сменной пластиной фильтра (IFP). Она обеспечивает превосходную равномерность освещения и позволяют легко переключаться между классической оптикой компании SUSS, оптикой HR и LGO. Экспонирующая оптика MO Exposure Optics позволяет получить освещение в соответствии с особыми требования благодаря модификации пластины IFP и использовать улучшенные технологии литографии, такие как оптимизация источник-шаблон (SMO) или оптическая коррекция зазора (OPC).

 

 

Блок замены фильтров

Опционно, установку совмещения и экспонирования MA200 Gen3 можно оборудовать блоком автоматической замены фильтров на макс. 4 фильтра, которые необходимо выбрать через рецепт процесса. Это дает возможность исключить риск ошибок оператора, что улучшает пропускную способность. 

 

 

Моделирующее ПО LAB

Версия моделирующего ПО компании SUSS объединяет все оптические решения SUSS MicroTec, такие как экспонирующую оптику HR, LGO и MO, включая их индивидуальные характеристики. ПО уменьшает необходимость в оптимизации экспериментальной расстановки и упрощает разработку процесса. 

Моделирующее ПО LAB вместе с оптикой MO является передовой технологией для оптимизации шаблон-источник в установке совмещения.

 

 

Оптимизация источник-шаблон

Оптимизация источник-шаблон - это концепция освещения, которая обеспечивает наилучшую возможную равномерность с возможностью поддержки решений, адаптированным к условиям меток. Это помогает уменьшить ошибки, возникающие в изображении из-за дифракции, или ошибки процесса.

Структуры до и пос